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SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES *625mWPOWERDISSIPATION *ICCONT2.5A *ICUpTo10APeakPulseCurrent *ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) *ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. *Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-12V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. •RCE(sat)=72mΩat2.5Aforalowequivalenton-resistance •625mWpowerdissipation •hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
PNPSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ExtremelyLowSaturationVoltage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:718 | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
PNPTransistor Features ●ForSwitchingandAmplifierApplications. ●ExtremelyLowSaturationVoltage ●ComplementarytoNPNType:FMMT618 | PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司 | PJSEMI | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES *625mWPOWERDISSIPATION *ICCONT2.5A *ICUpTo10APeakPulseCurrent *ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) *ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. *Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES *625mWPOWERDISSIPATION *ICCONT2.5A *ICUpTo10APeakPulseCurrent *ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) *ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. *Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
SOT23PNPSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>-20V •IC=-1AContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
MediumPowerTransistor Features ●Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=210mÙat1.5A. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN |
产品属性
- 产品编号：
ZXTPS718MCTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP + 二极管（隔离式）
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 350mA，3.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
25nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
180MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
DFN3020B-8
- 描述：
TRANS PNP 20V 3.5A DFN3020B-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/ |
21+ |
42664 |
12588 |
原装正品假一罚十 |
询价 | ||
ZETEX/D |
24+ |
DFN3020 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
DIODES |
1809+ |
DFN-8 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
6000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
ZETEX/DIODES |
23+ |
DFN3020B-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ZETEX/DIODES |
23+ |
DFN3020B-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
DIODES |
22+ |
NA |
12080 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
ZETEX/DIODES |
23+ |
DFN3020B-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ZETEX/DIODES |
10+ |
DFN3020B-8 |
6000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Diodes Incorporated |
2022+ |
8-DFN(3x2) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
