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FMMT718	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-12V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. •RCE(sat)=72mΩat2.5Aforalowequivalenton-resistance •625mWpowerdissipation •hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT718	文件：450.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ExtremelyLowSaturationVoltage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:718	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FMMT718	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT718	文件：1.13809 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features ●ForSwitchingandAmplifierApplications. ●ExtremelyLowSaturationVoltage ●ComplementarytoNPNType:FMMT618	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT718TA	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT718TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT718TC	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMTL718	文件：75.04 Kbytes Page：3 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>-20V •IC=-1AContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMTL718	文件：37.24 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=210mÙat1.5A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMTL718	文件：63.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=210mΩat1.5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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详细参数

型号：
ZXTP718MATC
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

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