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ZXTP2012G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXTP2012G
厂商型号

ZXTP2012G

参数属性

ZXTP2012G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 5.5A SOT223-3

功能描述

60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

132.89 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 20:00:00

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ZXTP2012G规格书详情

DESCRIPTION

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

FEATURES

• Extremely low equivalent on-resistance; RSAT = 39mV at 5A

• 5.5 amps continuous current

• Up to 15 amps peak current

• Very low saturation voltages

• Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• MOSFET gate drivers

• Charging circuits

• Power switches

• Motor control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTP2012GTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 5.5A SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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