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ZXTP2009Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXTP2009Z
厂商型号

ZXTP2009Z

参数属性

ZXTP2009Z 封装/外壳为TO-243AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 5.5A SOT89-3

功能描述

40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR

封装外壳

TO-243AA

文件大小

132.51 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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ZXTP2009Z规格书详情

Features

• BVCEO > -40V

• IC = -5.5A High Continuous Current

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -30mV @ -100mA

• Rsat = 29mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3)

• For automotive applications requiring specific change

control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP

capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),

please contact us or your local Diodes representative.

https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

Application

• DC-DC converters

• MOSFET gate drive

• Charging circuits

• Power switches

• Motor control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTP2009ZTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    185mV @ 550mA,5.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    152MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 5.5A SOT89-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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