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ZXTP2008G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

ZXTP2008G

参数属性

ZXTP2008G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3

功能描述

30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

120.79 Kbytes

页面数量

6 页

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2026-10-16 17:40:00

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ZXTP2008G规格书详情

ZXTP2008G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的ZXTP2008G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 30V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

FEATURES

• 5.5 Amps continuous current

• Up to 20 amps peak current

• Very low saturation voltages

• Exceptional gain linearity down to 10mA

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• MOSFET gate drivers

• Charging circuits

• Power switches

• Motor control

产品属性

更多
  • 产品编号:

    ZXTP2008GTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    210mV @ 500mA,5.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3

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