ZXTP2008G中文资料PDF规格书
厂商型号 |
ZXTP2008G |
参数属性 | ZXTP2008G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3 |
功能描述 | 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
文件大小 |
111.98 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Zetex Semiconductors |
企业简称 |
Zetex |
中文名称 | Zetex Semiconductors官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-30 22:30:00 |
ZXTP2008G规格书详情
DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 30V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.
FEATURES
• 5.5 Amps continuous current
• Up to 20 amps peak current
• Very low saturation voltages
• Exceptional gain linearity down to 10mA
APPLICATIONS
• DC - DC converters
• MOSFET gate drivers
• Charging circuits
• Power switches
• Motor control
产品属性
- 产品编号:
ZXTP2008GTA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
210mV @ 500mA,5.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 1A,1V
- 频率 - 跃迁:
110MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223-3
- 描述:
TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
2020+ |
SOT-223 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-223 |
8800 |
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ZETEX/DIODES |
22+ |
SOT-223 |
100000 |
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DIODES |
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SOT223 |
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SOT223 |
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DIODES/美台 |
21+ |
SOT-223 |
10000 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
20000 |
原装正品 欢迎咨询 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT-223-4 |
12245 |
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