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ZXTP2012Z	文件：131.77 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>-60V •IC=-4.3AHighContinuousCurrent •RSAT=32mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTP2012ZTA	文件：131.77 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>-60V •IC=-4.3AHighContinuousCurrent •RSAT=32mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTP2012ZTA	文件：122.04 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89 DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethisnewlowsaturation60VPNPtransistorofferslowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuits,lineswitchingandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES •Extremelylowequivalenton-resistance;RSAT=32mVat5A •4	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTR2012FF	文件：409.79 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V30mAREGULATORTRANSISTORINSOT23F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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ZXTR2012K	文件：278.51 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V50mAREGULATORTRANSISTOR Description TheZXTR2012Kmonolithicallyintegratesatransistor,zenerdiodeandresistortofunctionasahigh-voltagelinearregulator.Thedeviceregulateswitha12Vnominaloutputat15mA.It’sdesignedforuseinhigh-voltageapplicationswherestandardlinearregulatorscannotbeused.Th	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012Z	文件：376.94 Kbytes Page：7 Pages	REGULATORTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012Z	文件：337.35 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V30mAREGULATORTRANSISTOR Description TheZXTR2012Zmonolithicallyintegratesatransistor,Zenerdiodeandresistortofunctionasahighvoltagelinearregulator.Thedeviceregulateswitha12Vnominaloutputat15mA.Itisdesignedforuseinhighvoltageapplicationswherestandardlinearregulatorscannotbeused.T	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
ZXTP2012ASTZ
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
210mV @ 400mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，1V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3，成型引线
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE

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