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ZXTP07012EFF中文资料PNP, 12V, 4A, SOT23F数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTP07012EFF

参数属性

ZXTP07012EFF 封装/外壳为SOT-23-3 扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 4A SOT23F

功能描述

PNP, 12V, 4A, SOT23F
TRANS PNP 12V 4A SOT23F

封装外壳

SOT-23-3 扁平引线

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:12:00

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ZXTP07012EFF规格书详情

描述 Description

This low voltage PNP transistor has been designed for applications requiring high gain and very low saturation voltage. The SOT23F package is pin compatible with the industry standard SOT23 footprint but offers lower profile and higher dissipation for applications where power density is of utmost importance.

应用 Application

Load switches
\t
\t\tBattery charging
\t
\t\tMotor drive


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\t\t\t\t
\t\t\t\tProduct Specifications

简介

ZXTP07012EFF属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTP07012EFF晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTP07012EFF

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :PNP

  • IC (A)

    :4

  • ICM (A)

    :8

  • PD (W)

    :1.5

  • hFE (Min)

    :500

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.01

  • hFE(Min 2)

    :230

  • hFE (@ IC2) (A)

    :4

  • VCE(sat) Max (mV)

    :100

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.5/2.5

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :350

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/10

  • fT (MHz)

    :250

  • RCE(sat) (mΩ)

    :50

  • Packages

    :SOT23F

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