首页>ZXTN5551G>规格书详情

ZXTN5551G中文资料160V, SOT223, NPN high voltage transistor数据手册Diodes规格书

PDF无图
厂商型号

ZXTN5551G

参数属性

ZXTN5551G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3

功能描述

160V, SOT223, NPN high voltage transistor
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 9:20:00

人工找货

ZXTN5551G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

ZXTN5551G规格书详情

简介

ZXTN5551G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN5551G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ZXTN5551GTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
23+
SOT-223-4
8435
原装正品现货假一赔十
询价
DIODES/美台
21+
SOT-223-4
1697
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货!
询价
DIODES/美台
22+
SOT-223
12000
只有原装,绝对原装,假一罚十
询价
24+
N/A
51000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
DIODES/美台
20+
SMD
88800
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
DIODES/美台
22+
SOT-223-4
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
原装ZETEX
24+
SOT-223
63200
一级代理/放心采购
询价
DIODES/美台
23+
SOT-223-4
9000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价
DIODES/美台
20+
SOT223
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
DIODES/美台
24+
SOT-223
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价