ZXTN5551G中文资料160V, SOT223, NPN high voltage transistor数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
ZXTN5551G |
参数属性 | ZXTN5551G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 |
功能描述 | 160V, SOT223, NPN high voltage transistor |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 9:20:00 |
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ZXTN5551G规格书详情
简介
ZXTN5551G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN5551G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
ZXTN5551GTA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
200mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
130MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223-3
- 描述:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223-4 |
8435 |
原装正品现货假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT-223-4 |
12245 |
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原装ZETEX |
24+ |
SOT-223 |
63200 |
一级代理/放心采购 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223-4 |
9000 |
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DIODES/美台 |
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SOT223 |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT-223 |
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