ZXTNS618MC中文资料NPN + Schottky数据手册Diodes规格书

特性 Features

• PNP Transistor
• VCEO = 20V
• RSAT = 47m?
• IC = 4.5A
• Schottky Diode
• VR = 40V
• VF= 500mv (@1A)
• IC = 1A
• IC = 4.5A Continuous Collector Current
• Low Saturation Voltage (150mV @ 1A)
• hFE characterized up to 6A
• Low VF, fast switching Schottky
• Lead, Halogen, and Antimony Free/RoHS Compliant
• “Green” Devices

应用 Application

DC – DC Converters
\t
\t\tCharging circuits
\t
\t\tMobile phones
\t
\t\tMotor control

简介

ZXTNS618MC属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ZXTNS618MC晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。