ZXTN620MA中文资料NPN, 80V, 3.5A, DFN2020-3数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
ZXTN620MA |
参数属性 | ZXTN620MA 封装/外壳为3-UDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3 |
功能描述 | NPN, 80V, 3.5A, DFN2020-3 |
封装外壳 | 3-UDFN |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 11:30:00 |
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ZXTN620MA规格书详情
应用 Application
MOSFET Gate DrivingDC–DC ConvertersCharging CircuitsMotor ControlPower Switches
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
ZXTN620MA属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN620MA晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:ZXTN620MA
- 生产厂家
:Diodes
- Compliance(Only Automotive supports PPAP)
:Standard
- Polarity
:NPN
- IC (A)
:3.5
- ICM (A)
:5
- PD (W)
:1.5
- hFE (Min)
:300
- hFE (@ IC) (A)
:0.2
- hFE(Min 2)
:60
- hFE (@ IC2) (A)
:1.5
- VCE(sat) Max (mV)
:20
- VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)
:0.1/10
- VCE(sat) (Max.2) (mV)
:200
- VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)
:1.5/50
- fT (MHz)
:160
- RCE(sat) (mΩ)
:68
- Packages
:U-DFN2020-3 (Type B)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
DFN2020B-3 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
300000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
DFN2020B-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Diodes(美台) |
2511 |
标准封装 |
12000 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SMD |
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DIODES/美台 |
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SOT-223 |
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DIODES/美台 |
23+ |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
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Diodes(美台) |
23+ |
标准封装 |
12000 |
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DIODES(美台) |
2447 |
DFN2020B-3 |
105000 |
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