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ZXTN25100DZ	文件：415.75 Kbytes Page：8 Pages	100V NPN high gain transistor in SOT89 Features • BVCEO > 100V • BVECO > 6V • IC = 2.5A Continuous Collector Current • ICM = 3.5A Peak Collector Current • VCE(SAT) 文件：415.75 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DZTA	文件：408.73 Kbytes Page：8 Pages	100V NPN high gain transistor Description Packaged in the SOT89 outline this new low saturation NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. Features • High power dissipation SOT89 package • High gain • Low saturation volt 文件：408.73 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTN25100DZTA	文件：415.75 Kbytes Page：8 Pages	100V NPN high gain transistor in SOT89 Features • BVCEO > 100V • BVECO > 6V • IC = 2.5A Continuous Collector Current • ICM = 3.5A Peak Collector Current • VCE(SAT) 文件：415.75 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DG_15	文件：511.87 Kbytes Page：7 Pages	QFZT653 文件：511.87 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DZ	文件：393.84 Kbytes Page：8 Pages	100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：393.84 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DZ_15	文件：415.75 Kbytes Page：8 Pages	100V NPN high gain transistor in SOT89 文件：415.75 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DZ_17	文件：393.84 Kbytes Page：8 Pages	100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：393.84 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DZTA	文件：393.84 Kbytes Page：8 Pages	100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：393.84 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DG	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 100V, 3A, SOT223 Packaged in the SOT223 outline this new low saturation NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTN25100DGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 100V, 3A, SOT223 Packaged in the SOT223 outline this new low saturation NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.	Diodes 美台半导体	Diodes

产品属性

产品编号：
ZXTN25100DZTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
345mV @ 250mA，2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
175MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS NPN 100V 2.5A SOT89-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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