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ZXTD619MCTA中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

ZXTD619MCTA
厂商型号

ZXTD619MCTA

功能描述

DUAL 50V NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

193.63 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-3 11:22:00

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ZXTD619MCTA规格书详情

Features and Benefits

• BVCEO > 50V

• IC = 4A Continuous Collector Current

• Low Saturation Voltage (100mV max @ 1A)

• RSAT = 68mΩ for Low Equivalent On Resistance

• hFE specified up to 6A for high current gain holds up

• Dual NPN saving footprint and component count

• Low profile 0.8mm high package for thin applications

• RθJA efficient, 40 lower than SOT26

• 6mm2 footprint, 50 smaller than TSOP6 and SOT26

• Lead-Free, RoHS Compliant (Note 1)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• DC – DC Converters

• MOSFET gate drivers

• Charging circuits

• Motor Control

• Power switches

• Portable applications

产品属性

  • 型号:

    ZXTD619MCTA

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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