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ZXTD618MCTA中文资料DIODES数据手册PDF规格书

ZXTD618MCTA
厂商型号

ZXTD618MCTA

功能描述

DUAL 20V NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

190.02 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES

中文名称

Diodes Incorporated官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-25 11:12:00

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ZXTD618MCTA规格书详情

Features and Benefits

• BVCEO > 20V

• IC = 4.5A Continuous Collector Current

• Low Saturation Voltage (150mV @ 1A)

• RSAT = 47mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• hFE specified up to 6A for high current gain hold up

• Dual NPN saving footprint and component count

• Low profile 0.8mm high package for thin applications

• RθJA efficient, 40 lower than SOT26

• 6mm2 footprint, 50 smaller than TSOP6 and SOT26

• Lead-Free, RoHS Compliant (Note 1)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• DC-DC Converters

• Charging circuits

• Motor control

• Power switches

• Portable applications

产品属性

  • 型号:

    ZXTD618MCTA

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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