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ZXT13N50DE6Q数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

ZXT13N50DE6Q

参数属性

ZXT13N50DE6Q 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT26 T\u0026R

功能描述

NPN, 50V, 4A, SOT26

封装外壳

SOT-23-6

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

原厂标识
Diodes
数据手册

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更新时间

2025-8-5 12:00:00

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ZXT13N50DE6Q规格书详情

描述 Description

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex
matrix structure combined with advanced assembly techniques to give
extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low
voltage switching applications.

应用 Application

• DC - DC Converters
• Power Management Functions
• Power switches
• Motor control







Product Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :ZXT13N50DE6Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Automotive

  • Polarity

    :NPN

  • IC (A)

    :4

  • ICM (A)

    :10

  • PD (W)

    :1.1

  • hFE (Min)

    :300

  • hFE (@ IC) (A)

    :1

  • hFE(Min 2)

    :100

  • hFE (@ IC2) (A)

    :4

  • VCE(sat) Max (mV)

    :12

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.1/10

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :200

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :3/50

  • fT (MHz)

    :115

  • RCE(sat) (mΩ)

    :36

  • Packages

    :SOT26

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