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ZXT12N20DXTC中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

ZXT12N20DXTC
厂商型号

ZXT12N20DXTC

功能描述

DUAL 20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

270.93 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 21:28:00

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ZXT12N20DXTC规格书详情

SUMMARY

VCEO=20V; RSAT = 40mΩ; IC= 3.5A

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

• Extremely Low Equivalent On Resistance

• Extremely Low Saturation Voltage

• hFE characterised up to 10A

• IC=3.5A Continuous Collector Current

• MSOP8 package

APPLICATIONS

• DC - DC Converters

• Power Management Functions

• Power switches

• Motor control

产品属性

  • 型号:

    ZXT12N20DXTC

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Dual 20V NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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