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ZXT11N15DFTC分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

ZXT11N15DFTC

参数属性

ZXT11N15DFTC 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V 3A SOT23-3

功能描述

15V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
TRANS NPN 15V 3A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

422.75 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 11:01:00

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ZXT11N15DFTC规格书详情

ZXT11N15DFTC属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的ZXT11N15DFTC晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

• Extremely Low Equivalent On Resistance

• Extremely Low Saturation Voltage

• hFE characterised up to 5A

• IC=3A Continuous Collector Current

• SOT23 package

APPLICATIONS

• DC - DC Converters

• Power Management Functions

• Power switches

• Motor control

产品属性

更多
  • 产品编号:

    ZXT11N15DFTC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 150mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 200mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    145MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 3A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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