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ZXT10P40DE6分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXT10P40DE6
厂商型号

ZXT10P40DE6

参数属性

ZXT10P40DE6 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 2A SOT23-6

功能描述

40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

封装外壳

SOT-23-6

文件大小

241.2 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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ZXT10P40DE6规格书详情

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

• Low Equivalent On Resistance

• Extremely Low Saturation Voltage

• hFE characterised up to 3A

• IC=2.0A Continuous Collector Current

• SOT23-6 package

APPLICATIONS

• DC - DC Converters

• Power Management Functions

• Power switches

• Motor control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXT10P40DE6TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    190MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-6

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 2A SOT23-6

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