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ZXMS6003GTA	文件：691.63 Kbytes Page：9 Pages	丝印：ZXMS6003；Package：SOT223；60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET WITH PROGRAMMABLE CURRENT LIMIT Features • Current Limit Programmable via External Resistor • Status Pin (Analog Status Indication) • Logic Level Input • Short-Circuit Protection with Auto Restart • Overvoltage Protection (Active Clamp) • Thermal Shutdown with Auto Restart • Overcurrent Protection • Input Protection (ESD 文件：691.63 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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ZXMS6003G	文件：691.63 Kbytes Page：9 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET WITH PROGRAMMABLE CURRENT LIMIT Features • Current Limit Programmable via External Resistor • Status Pin (Analog Status Indication) • Logic Level Input • Short-Circuit Protection with Auto Restart • Overvoltage Protection (Active Clamp) • Thermal Shutdown with Auto Restart • Overcurrent Protection • Input Protection (ESD 文件：691.63 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6003G_V01	文件：691.63 Kbytes Page：9 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET WITH PROGRAMMABLE CURRENT LIMIT Features • Current Limit Programmable via External Resistor • Status Pin (Analog Status Indication) • Logic Level Input • Short-Circuit Protection with Auto Restart • Overvoltage Protection (Active Clamp) • Thermal Shutdown with Auto Restart • Overcurrent Protection • Input Protection (ESD 文件：691.63 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6003	文件：683.23 Kbytes Page：10 Pages	60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current limit 文件：683.23 Kbytes 页数：10 Pages	Zetex	Zetex
ZXMS6003G	文件：683.23 Kbytes Page：10 Pages	60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current limit 文件：683.23 Kbytes 页数：10 Pages	Zetex	Zetex
ZXMS6003G	文件：789.76 Kbytes Page：10 Pages	60V N-channel self protected enhancement mode 文件：789.76 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6003GQ	文件：475.42 Kbytes Page：9 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：475.42 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMS6003GQTA	文件：475.42 Kbytes Page：9 Pages	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE 文件：475.42 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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详细参数

型号：
ZXMS6003
功能描述：
MOSFET 60V IntelliFET Over Current Ctrl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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