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ZY110	文件：102.78 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES ♦SiliconPowerZenerDiodes ♦Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating ♦TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.Smallervoltagetolerancesareavailableuponrequest.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
ZY110B	文件：83.8 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerZ-Diodes(non-planartechnology)	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ZY110B	文件：84.39 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerZ-Diodes(non-planartechnology) Maximumpowerdissipation2W NominalZ-voltage10...200V PlasticcaseDO-41 Weightapprox.0.4g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ZY110GP	文件：7.19881 Mbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedZenerDiode GlassPassivatedZenerDiode 5.8V-188V2W FEATURES •Glasspassivatedjunction •Theplasticmaterialcarries U/Lrecognition94V-0 •Terminals:AxialLeads •Polarity:Colorbanddenotescathode	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
ZY110GP	文件：65.239 Kbytes Page：4 Pages	2WGlassPassivatedZenerDiode [FAGOR] Mountinginstructions 1.Min.distancefrombodytosolderingpoint,4mm. 2.Max.soldertemperature,350°C. 3.Max.solderingtime,3.5sec. 4.Donotbendleadatapointcloserthan2mm.tothebody.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
ZVNL110ASTOB
功能描述：
MOSFET N-Chnl 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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