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ZVNL110G	文件：20.08 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDVERTICALDMOSFET FEATURES *LOWRDS(ON)-3Ω	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZVNL110G	文件：31.1 Kbytes Page：1 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDVERTICALDMOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSwitchi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZVNL110GTA	文件：977.65 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZX110	文件：166.88 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerZDiodes SiliconPowerZDiodes •Maximumpowerdissipation12.5W •NominalZ-voltage3.9…200V •MetalcaseDO-4 •Weightapprox.5.5g •Standardpolarity:Cathodetostud/Gewinde •IndexR:Anodeto	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
ZX110	文件：114.6 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation12.5W •NominalZ-voltage10...200V •MetalcaseDO-4 •Weightapprox.5.5g •Standardpolarity:Cathodetos	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ZX110	文件：112.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation12.5W •NominalZ-voltage10...200V •MetalcaseDO-4 •Weightapprox.5.5g •Standardpolarity:Cathodetos	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ZY110	文件：111.83 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) Maximumpowerdissipation2W NominalZ-voltageñNominaleZ-Spannung1....200V PlasticcaseDO-41 Weightapprox.ñGewichtca.0.4g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 S	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ZY110	文件：364.73 Kbytes Page：7 Pages	ZENERDIODES FEATURES ♦SiliconPowerZenerDiodes ♦Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating ♦TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.Smallervoltagetolerancesareavailableuponrequest.	GE GE Industrial Company	GE
ZY110	文件：63.81 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERZENERDIODE Features 2WattPowerDissipation ZenerVoltagesfrom11V-200V GradedperInternationalE24Standard	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZY110	文件：152.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon-Power-ZenerDiodes(non-planartechnology)	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

详细参数

型号：
ZVNL110ASTOB
功能描述：
MOSFET N-Chnl 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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