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ZTX1056	文件：118.15 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR FEATURES * VCEO=160V * 3 Amp Continuous Current * 6 Amp Pulse Current * Low Saturation Voltage 文件：118.15 Kbytes 页数：4 Pages	ZETEX	ZETEX
ZTX1056	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
ZTX1056A	文件：118.15 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR FEATURES * VCEO=160V * 3 Amp Continuous Current * 6 Amp Pulse Current * Low Saturation Voltage 文件：118.15 Kbytes 页数：4 Pages	ZETEX	ZETEX
ZTX1056A	文件：123.82 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR FEATURES * VCEO=160V * 3 Amp Continuous Current * 6 Amp Pulse Current * Low Saturation Voltage 文件：123.82 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZTX1056A	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
ZTX1056A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：E-Line-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 3A E-LINE	DIODES 美台半导体	DIODES
ZTX1056ASTOB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：E-Line-3，成型引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 3A E-LINE	DIODES 美台半导体	DIODES
ZTX1056ASTZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：E-Line-3，成型引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 3A E-LINE	DIODES 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
ZTX1056
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN High Current
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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