| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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ZETEXTO92 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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1年
留言
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ZETEXTSSOP-14 |
8000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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15年
留言
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ZETEXTO92 |
35700 |
22+ |
进口原装 |
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1年
留言
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ZETEXTSSOP-14 |
8000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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6年
留言
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ZETEXTO-92-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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17年
留言
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ZETEXTO92 |
5000 |
24+ |
只做原装公司现货 |
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ZTX302图片
ZTX302STOA中文资料Alldatasheet PDF
更多ZTX302功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
ZTX302DA功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX302DB功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX302DC功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX302STOA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX302STOB功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX302STZ功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
35V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
>150MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BCW14,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍数：
β=100-300
- 图片代号：
A-31
- vtest：
35
- htest：
150000100
- atest：
0.5
- wtest：
0.3
