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ZTX1056A

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

FEATURES * VCEO=160V * 3 Amp Continuous Current * 6 Amp Pulse Current * Low Saturation Voltage

文件:118.15 Kbytes 页数:4 Pages

ZETEX

ZTX1056A

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

FEATURES * VCEO=160V * 3 Amp Continuous Current * 6 Amp Pulse Current * Low Saturation Voltage

文件:123.82 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

ZTX1056A

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

Diodes

美台半导体

ZTX1056A

Package:E-Line-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 3A E-LINE

DIODES

美台半导体

ZTX1056ASTOB

Package:E-Line-3,成型引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 3A E-LINE

DIODES

美台半导体

ZTX1056ASTZ

Package:E-Line-3,成型引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 3A E-LINE

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZTX1056A

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 200mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 500mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    E-Line-3

  • 供应商器件封装:

    E-Line(TO-92 兼容)

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 3A E-LINE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ZetexInc
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DIODES/美台
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E-Line(TO-92 兼容)
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更多ZTX1056A供应商 更新时间2026-4-9 16:01:00