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XR30N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Ch MOSFET	XNRUSEMI 新锐半导体	XNRUSEMI
XR30N10B	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Ch MOSFET	XNRUSEMI 新锐半导体	XNRUSEMI
30N10	文件：64.93 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching 文件：64.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
30N10	文件：982.72 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：982.72 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AM30N10	文件：351.27 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • Drain Current :ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • LED backl 文件：351.27 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package Type：
TO252
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS(V)：
100
VGS(V)：
±20
Vth typ.(V)：
1.5
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：
32
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：
37
ID (A)：
30A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	XR30N10	NK/南科功率	2025+	TO252	986966	国产	询价
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更多XR30N10供应商更新时间2025-12-23 14:01:00

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