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DG459DJ	文件：160.11 Kbytes Page：13 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG459DJ	文件：162.08 Kbytes Page：13 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers FEATURES •FaultandOvervoltageProtection •AllChannelsOffWhenPowerOff •Latchup-Proof •FastSwitching-tA:200ns •Break-Before-MakeSwitching •LowOn-Resistance:180W •LowPowerConsumption:3mW •TTLandCMOSCompatibleInputs BENEFITS •ImprovedRuggedness •PowerLo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
FDLL459	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
FDLL459A	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
FDT459N	文件：89.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance.Thesep	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT459	文件：196.34 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT459	文件：44.41 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor ■Features ●6Vreverseblockingcapability ●Lowsaturationvoltage-90mV@50mA ●IC=150mAcontinuous	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT459	文件：236.93 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	450VSILICONNPNHIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459TA	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	450VSILICONNPNHIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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