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AR3056	文件：169.36 Kbytes Page：2 Pages	TO-8BCASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
BU3056FV	文件：155.28 Kbytes Page：5 Pages	SiliconmonolithicIntegratedcircuit	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BX3056	文件：239.77 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
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CZRB3056	文件：153.56 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiode Features -Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace -Lowprofilepackage -Built-instrainrelief -Glasspassivatedjunction -Lowinductance -Excellentclampingcapability -TypicalIDlessthan1uAabove11V -Hightemperaturesoldering260°C/10secondsatt	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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DMP3056LDM	文件：141.76 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowOn-Resistance •TotallyLead-F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP3056LSD	文件：178.37 Kbytes Page：4 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThreshold	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP3056LSDQ	文件：408.66 Kbytes Page：6 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltag	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP3056LSS	文件：176.99 Kbytes Page：4 Pages	SINGLEP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •45mΩ@VGS=-10V •65mΩ@VGS=-4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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