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WNSC2D08650T

碳化硅二极管; • Highly stable switching performance\n• Extremely fast reverse recovery time\n• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives\n• Reduced losses in associated MOSFET\n• Reduced EMI\n• Reduced cooling requirements\n• RoHS compliant\n;

Silicon Carbide Schottky diode in a DFN 8*8 plastic package, designed for high frequency switched-mode power supplies.\n

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瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

WNSC2D08650T

丝印:WNSC2D08650T;Package:DFN8*8;Silicon Carbide Diode

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WNSC2D08650TJ

Silicon Carbide Diode

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瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

WNSC2D08650TJ

Package:4-VSFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

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WNSC2D08650D

SiliconCarbideDiode

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WNSC2D08650DJ

SiliconCarbideDiode

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瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

技术参数

  • Package name:

    DFN8*8

  • IF(AV) [max]:

    8

  • Tj [max]:

    175

  • VRRM [max]:

    650

  • Qr [typ]:

    13

  • VF [typ] @ Tj = 25 °C:

    1.5

  • @ IF:

    8

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更多WNSC2D08650T供应商 更新时间2025-7-28 11:06:00