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WNSC2D08650T分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
WNSC2D08650T |
| 参数属性 | WNSC2D08650T 封装/外壳为4-VSFN 裸露焊盘；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE |
| 功能描述 | Silicon Carbide Diode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN8*8 / 4-VSFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
508.6 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | WeEn Semiconductors |
| 企业简称 |
WEEN【瑞能半导体】 |
| 中文名称 | 瑞能半导体科技股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-29 15:01:00 |
| 人工找货 | WNSC2D08650T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
WNSC2D08650T规格书详情
WNSC2D08650T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由瑞能半导体科技股份有限公司制造生产的WNSC2D08650T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
产品属性
更多- 产品编号：
WNSC2D08650TJ
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
管件
- 二极管类型：
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
8A
- 速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
260pF @ 1V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-VSFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
5-DFN（8x8）
- 工作温度 - 结：
175°C
- 描述：
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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询价 | |||||
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