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WNMD2158	文件：2.32899 Mbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel, 20V, 7.0A, Power MOSFET 文件：2.32899 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNMD2158	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应晶体管	OmniVision 豪威集团	OmniVision
WNMD2158-8/TR	文件：965.77 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：965.77 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
WNMD2158-8/TR	文件：2.32899 Mbytes Page：8 Pages	丝印：2158；Package：TSSOP-8L；Dual N-Channel, 20V, 7.0A, Power MOSFET 文件：2.32899 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNMD2158-8SLASHTR	文件：2.32899 Mbytes Page：8 Pages	丝印：2158；Package：TSSOP-8L；Dual N-Channel, 20V, 7.0A, Power MOSFET 文件：2.32899 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNMD2158-8SLASHTR	文件：965.77 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：965.77 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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技术参数

Package：
TSSOP-8L
Configuration：
Common drain
VDS(V) (Max.)：
20.0
VGS(V) (Max.)：
12.0
VGS(th)(V)(Typ.)：
0.7
ID@TA = 25°C(A) (Max.)：
7.0
Qg(TOT)(nC)(Typ.)：
10.9
RJA(℃/W)(Max)：
120.0
PD@TA= 25°C(W) (Max)：
1.4
Ciss(pF) (Typ)：
800
Coss(pF) (Typ)：
108
Crss(pF) (Typ)：
93
Qgd(nC)：
2
Td(on)(ns)：
410
Td(off)(ns)：
6100
RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Typ.)：
13.6
RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.)：
14.8
RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Typ.)：
19.0
RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Max.)：
17
RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.)：
19
RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Max.)：
24
RJC(℃/W)(Max)：
71.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	WNMD2158	WILLSEMI	24+	TSSOP-8L	288500	原装现货	询价
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