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WNMD2160	文件：443.39 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET FEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFETs • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：443.39 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
WNMD2160	文件：1.04956 Mbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel, 20V, 6.3A, Power MOSFET 文件：1.04956 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNMD2160	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应晶体管	OmniVision 豪威集团	OmniVision
WNMD2160-6/TR	文件：1.04956 Mbytes Page：8 Pages	丝印：2160；Package：SOT-23-6L；Dual N-Channel, 20V, 6.3A, Power MOSFET 文件：1.04956 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNMD2160-6SLASHTR	文件：1.04956 Mbytes Page：8 Pages	丝印：2160；Package：SOT-23-6L；Dual N-Channel, 20V, 6.3A, Power MOSFET 文件：1.04956 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNMD2160A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel, 20V, 6.6A, Power MOSFET	OmniVision 豪威集团	OmniVision

技术参数

Package：
SOT-23-6L
VDS(V) (Max.)：
20.0
VGS(V) (Max.)：
10.0
VGS(th)(V)(Typ.)：
0.7
ID@TA = 25°C(A) (Max.)：
6.3
Qg(TOT)(nC)(Typ.)：
10.9
RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.)：
15.7
RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Typ.)：
20.0
RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.)：
21
RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Max.)：
26
Status：
MP
RJA(℃/W)(Max)：
130.0
RJC(℃/W)(Max)：
75.0
PD@TA= 25°C(W) (Max)：
1.1
Ciss(pF) (Typ)：
800
Coss(pF) (Typ)：
108
Crss(pF) (Typ)：
93
Qgd(nC)：
2
Td(on)(ns)：
410
Td(off)(ns)：
6100

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	WNMD2160	WILL	24+	SOT-23-6L	98000	原装现货假一罚十	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	WNMD2160-6/TR	Will	19+	SOT-23-6L	200000		询价
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