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WNMD2165

Dual N-Channel, 60V, 0.32A, Power MOSFET

文件:1.76431 Mbytes 页数:7 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WNMD2165

MOSFET/场效应管

Yenji

元基电子

WNMD2165

场效应晶体管

OmniVision

豪威集团

WNMD2165-6/TR

丝印:65A;Package:SOT-363;Dual N-Channel, 60V, 0.32A, Power MOSFET

文件:1.76431 Mbytes 页数:7 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WNMD2165-6SLASHTR

丝印:65A;Package:SOT-363;Dual N-Channel, 60V, 0.32A, Power MOSFET

文件:1.76431 Mbytes 页数:7 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WNMD2165A1

MOSFET

OmniVision

豪威集团

技术参数

  • Package:

    SOT-363

  • Size(W×L×H)(mm)(Max.):

    2.2*2.45*1.1

  • Configuration:

    Dual N

  • VDS(V) (Max.):

    60

  • VGS(V) (Max.):

    20

  • VGS(th)(V)(Typ.):

    1.30

  • RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Typ.):

    1400.0

  • RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Max.):

    2000.0

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.):

    1700.0

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.):

    2600.0

  • ID@TA = 25°C(A) (Max.):

    0.32

  • RJA(℃/W)(Max):

    395.0

  • RJC(℃/W)(Max):

    300.0

  • PD@TA= 25℃(W) (Max):

    0.41

  • Ciss(pF) (Typ):

    23.37

  • Coss(pF) (Typ):

    7.33

  • Crss(pF) (Typ):

    5.20

  • Qg(TOT)(nC)(Typ.):

    1.20

  • Qgd(nC)(Typ):

    0.12

  • Td(on)(ns)(Typ):

    7.60

  • Td(off)(ns)(Typ):

    24.60

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WILLSEMI
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更多WNMD2165供应商 更新时间2026-3-18 20:23:00