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WMO55N03T1

N-Channel Trench MOSFET

Wayon

维安

技术参数

  • VDS(V):

    30

  • Vgs Max(V):

    ±20

  • ID(A)@TA=25℃(Max.):

    55

  • VGS(th)(V)(Typ.):

    1.6

  • Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.):

    8.5

  • Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.):

    12.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
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TT ELECTRONICS
21+
标准封装
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更多WMO55N03T1供应商 更新时间2025-10-11 10:01:00