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WMR05P04TS

12V-100V Trench P Channel Power MOSFET

Wayon

维安

CEZ05P04

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -40V, -82A, RDS(ON) = 6.5 mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 10 mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

文件:1.10581 Mbytes 页数:6 Pages

CET-MOS

华瑞

技术参数

  • VDS(V):

    -40

  • Vgs Max(V):

    ±20

  • ID(A)@TA=25℃(Max.):

    -5.4

  • VGS(th)(V)(Typ.):

    -1.7

  • Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.):

    40

  • Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.):

    52

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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DFN2*2-6L
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WAYON(维安)
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更多WMR05P04TS供应商 更新时间2026-2-2 11:06:00