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CEZ05P04

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -40V, -82A, RDS(ON) = 6.5 mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 10 mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

文件:1.10581 Mbytes 页数:6 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZ05P04

P Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    -40/

  • Rds(on)mΩ@10V:

    6.5/

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    10/

  • ID(A):

    -82/

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    54/

  • RθJC(℃/W):

    1.8

  • Pd(W):

    69

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEZ
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
986966
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CET/華瑞
2511
P-PAK5X6
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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CET(华瑞)
2447
PR-PACK(5*6)
105000
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CET-MOS
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CET-MOS
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