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WMS30N050V	文件：300 bytes Page：1 Pages	LV N MOSFETs; • Advance High Cell Density Trench Technology\n• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Switching Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Driver Losses\n• 100% UIS Tested\n• RoHS Compliant, Halogen Free\n;	WeEnWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WeEn
WMS30N050S	文件：608.14 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelSiliconMOSFET Generaldescription WMS30N050Sisahighperformance logiclevelN-channelMOSFETinTO252 package,whichutilizesadvancedTrench MOSFETtechnologytoprovidelowRDS(on) andgatecharge.Itisdesignedandqualified inawiderangeofindustrialandconsumer applications. Featuresand	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN

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LV N MOSFETs; • Advance High Cell Density Trench Technology\n• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Switching Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Driver Losses\n• 100% UIS Tested\n• RoHS Compliant, Halogen Free\n;

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瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

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WMS30N050S

文件：608.14 Kbytes

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N-ChannelSiliconMOSFET

Generaldescription WMS30N050Sisahighperformance logiclevelN-channelMOSFETinTO252 package,whichutilizesadvancedTrench MOSFETtechnologytoprovidelowRDS(on) andgatecharge.Itisdesignedandqualified inawiderangeofindustrialandconsumer applications. Featuresand

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技术参数

VDS (V)：
30
VGS (±V)：
20
ID(A)@ 25℃：
45
RDS(ON) (mΩ max) @ VGS= 10V：
5
RDS(ON) (mΩ max) @ VGS= 4.5V：
8
QG(tot) (nC)：
44

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