N-Channel SJ-MOS C2

采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.94929 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：2.12878 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Cool MOS??Power Transistor

Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances

文件：164.27 Kbytes 页数：14 Pages

INFINEON

英飞凌