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WMP04N65DM

N-Channel Enhanced VDMOSFET

Wayon

维安

04N65

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.97664 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AM04N65

MOSFET 650V, 4A N-CHANNEL

FEATURE • RDS(ON),typ.=2.1 Ω@VGS=10V • High Current Rating • Lower Capacitance • Lower Total Gate Charge Minimize Switching Loss • Fast Recovery Body Diode DESCRIPTION The AM04N65 is available in TO220F Package. APPLICATION • Adaptor • Charger • SMPS Standby Power

文件:827.56 Kbytes 页数:10 Pages

AITSEMI

创瑞科技

CEB04N65

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

文件:628 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

技术参数

  • Package:

    TO-251

  • VDS(V):

    650

  • RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.):

    2.7

  • ID (A)@TA=25℃:

    4

  • PD (W)@TA=25℃:

    77

  • Qg (nC):

    12.5

  • VGS (V):

    30

  • VGS(th)(V) (Typ.):

    3

  • Product Status:

    MP

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更多WMP04N65DM供应商 更新时间2026-1-23 22:58:00