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WMP11N80C2

Power MOSFET-Super Junction MOSFET 800V

采用先进的超结技术和优化的设计结构,相比传统的高压VDMOS,新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%,有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS,500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

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更多WMP11N80C2供应商 更新时间2025-10-18 14:33:00