N-Channel SJ-MOS C2

采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT

Features ● Very high frequency IGBT ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switched-mode and resonant-mode power supplies ● AC motor speed control ● DC servo and robot drives ●

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IXYS

艾赛斯

Electrically Isolated Back Surface

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IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed

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IXYS

艾赛斯