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WMO06N65EM

N-Channel SJ-MOS EM

采用先进的超结技术和优化的设计结构,相比传统的高压VDMOS,新一代Wayon WMOS™ C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%,有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS,500V-900V WMOS™ C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

WTM06N65AD

MOSFET Silicon N-Channel MOS

Features - Low drain-source on-resistance: RD - Easy to control Gate switching - Enhancement mo de: Vth = 2.8 to 4 - Table 1 - Key Performance - Parameter - Value - VDS @ Tj,max - RDS(on),max - Qg,typ - ID,pulse Applications - Boost PFC switch,single-ended flyb - PC power, PD Adapt

文件:1.07522 Mbytes 页数:8 Pages

WPMTEK

维攀科技

WTM06N65AF

MOSFET Silicon N-Channel MOS

Features - Low drain-source on-resistance: RD - Easy to control Gate switching - Enhancement mo de: Vth = 2.8 to 4 - Table 1 - Key Performance - Parameter - Value - VDS @ Tj,max - RDS(on),max - Qg,typ - ID,pulse Applications - Boost PFC switch,single-ended flyb - PC power, PD Adapt

文件:1.07522 Mbytes 页数:8 Pages

WPMTEK

维攀科技

FTA06N65C

N-Channel Enhancement

InPower Product Lines

文件:54.71 Kbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

FTP06N65

N-Channel Enhancement

InPower Product Lines

文件:54.71 Kbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

UT06N65

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.59177 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

技术参数

  • Package:

    TO-252

  • VDS(V):

    650

  • RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.):

    1.2

  • ID (A)@TA=25℃:

    5

  • PD (W)@TA=25℃:

    42

  • Qg (nC):

    /

  • VGS (V):

    30

  • VGS(th)(V) (Typ.):

    3

  • Product Status:

    ENG

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
WAYON/维安
22+
TO-252
9000
原装正品,支持实单!
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维安
25+
TO-252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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维安
21+
TO-252
65960
全新原装
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24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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维安
24+
TO-252
5000
全新原装正品,现货销售
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维安
24+
TO-252
10000
只有原装
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维安
24+
TO-252
5000
十年沉淀唯有原装
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维安
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TO-252
8000
新到现货,只做全新原装正品
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维安
23+
TO-252
20000
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CYGWAYON
TO-252
50000
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更多WMO06N65EM供应商 更新时间2026-4-19 10:14:00