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WMO13N65EM

N-Channel SJ-MOS EM

采用先进的超结技术和优化的设计结构,相比传统的高压VDMOS,新一代Wayon WMOS™ C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%,有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS,500V-900V WMOS™ C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

13N65A

13A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor

文件:685.58 Kbytes 页数:5 Pages

YFWDIODE

佑风微

13N65B

N-Channel MOSFET 650V, 14A, 0.46(ohm)

文件:835.88 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

CEB13N65S

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

文件:717.4 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

技术参数

  • Package:

    TO-252

  • VDS(V):

    650

  • RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.):

    0.39

  • ID (A)@TA=25℃:

    11

  • PD (W)@TA=25℃:

    85

  • Qg (nC):

    /

  • VGS (V):

    30

  • VGS(th)(V) (Typ.):

    3

  • Product Status:

    MP

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更多WMO13N65EM供应商 更新时间2026-1-23 18:50:00