Power MOSFET-SJ-MOS with Fast Body Diode

采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

Drain Current ID= 14A@ TC=25C

文件：136.1 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.55 Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy tested * Improved dv/dt capability, high ruggedness

文件：281.55 Kbytes 页数：7 Pages

UTC

友顺

14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

 FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.6Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness

文件：436.78 Kbytes 页数：9 Pages

UTC

友顺