N-Channel SJ-MOS C2

采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

WAYON

维安

N-Channel 65 0V (D-S)Power MOSFET

文件：2.12307 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Cool MOS??Power Transistor

Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances

文件：159.83 Kbytes 页数：14 Pages

Infineon

英飞凌

Cool MOS??Power Transistor

Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances

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Infineon

英飞凌