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WMM04N60C2

N-Channel SJ-MOS C2

采用先进的超结技术和优化的设计结构,相比传统的高压VDMOS,新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%,有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS,500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

WAYON

维安

04N60C2

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.94929 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60C2

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件:2.12878 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPA04N60C2

Cool MOS??Power Transistor

Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances

文件:164.27 Kbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • Package:

    TO-263

  • VDS(V):

    600

  • RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.):

    1.9

  • ID (A)@TA=25℃:

    3

  • PD (W)@TA=25℃:

    29

  • Qg (nC):

    6.7

  • VGS (V):

    30

  • VGS(th)(V) (Typ.):

    3.3

  • Product Status:

    MP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
WanTcom
24+
放大器
3600
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更多WMM04N60C2供应商 更新时间2026-1-26 17:08:00