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WMN20N60C2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel SJ-MOS C2 采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。	Wayon 维安	Wayon
20N60C2	文件：163.38 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 220 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances 文件：163.38 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA20N60C2	文件：163.38 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 220 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances 文件：163.38 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

Package：
TO-262
VDS(V)：
600
RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.)：
.3
ID (A)@TA=25℃：
15
PD (W)@TA=25℃：
86
Qg (nC)：
20.3
VGS (V)：
30
VGS(th)(V) (Typ.)：
3.3
Product Status：
MP

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更多WMN20N60C2供应商更新时间2025-10-17 11:06:00

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