Power MOSFET-Super Junction MOSFET 800V

采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

Cool MOS Power Transistor

Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 247 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances

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