Silicon N-Channel MOSFET

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N-Channel MOSFET

WFF23N50DP 是一款N-沟道高压功率MOSFT，具有开关速度快，dv/dt 能力提升等优点，可应用于LED电源，充电器，适配器，开关电源等应用。 • 500V, 23A\n• RDS(ON) = 0.26Ω (Max.) @ VGS = 10V, ID = 11.5A\n• 100%雪崩测试\n• dv/dt 能力提升\n• 开关速度快;

Winsemi

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Silicon N-Channel MOSFET

General Description\nThis Power MOSFET is produced using Winsemi ’s advanced planar stripe, VDMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for high efficiency s ■2A,60 0V, RDS(on)(Max 5Ω)@VGS=10V\n■ Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC)\n■ Fast Switching Capability\n■ 100%Avalanche Tested\n■ Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC )\n■ Maximum Junction Temperature Range(150℃);

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场效应管

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