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WFD5N80DP

N-Channel MOSFET

WFD5N80DP 是一款N-沟道高压功率MOSFT,具有开关速度快,dv/dt 能力提升等优点,可广泛应用于LED电源,充电器,适配器,开关电源等应用。\n\n • 800V, 5A\n• 100%雪崩测试\n• 开关速度快\n;

Winsemi

稳先微电子

WFF5N80

Silicon N-Channel MOSFET

文件:540.33 Kbytes 页数:7 Pages

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

WFP5N80

Silicon N-Channel MOSFET

文件:529.42 Kbytes 页数:7 Pages

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

5N80

5 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 5N80 is a N-channel enhancement mode power MOSFET. It use UTC advanced technology to provide avalanche rugged technology and low gate charge. It can be applied in high current, high speed switching, switch mode power supplies (SMPS), consumer and industrial lighting, DC-A

文件:171.68 Kbytes 页数:5 Pages

UTC

友顺

5N80

5A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:178.37 Kbytes 页数:5 Pages

UTC

友顺

5N80

Fast Switching Speed

DESCRIPTION ·Drain Current ID= 5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·General purpose power amplifier

文件:65.64 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    800

  • ID(A):

    5

  • VGS(±V):

    30

  • Rds(on)@Vg=10V Typ. (Ω):

    2.2

  • Rds(on)@Vg=10V Max. (Ω):

    2.8

  • VGS(TH) Min. (V):

    3

  • VGS(TH) Typ. (V):

    3.5

  • VGS(TH) Max. (V):

    4

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更多WFD5N80DP供应商 更新时间2024-3-26 15:06:00