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WFF7N65SAH	文件：300 bytes Page：1 Pages	超结MOS功率管 WFF7N65SAH 采用稳先微电子超结MOS技术制造，开关损耗较低，同时拥有较好的均一性和稳定性，可广泛应用于LED电源，充电器，适配器，TV电源和开关电源等应用。 • 650V,7A\n• RDS(ON) = 0.54Ω (Max.) @ VGS = 10V, ID = 4A\n• 低low FOM RDS(ON)×Qg\n• 极低的开关损耗\n• 稳定性和均一性好;	Winsemi 稳先微电子	Winsemi
WFP7N65S	文件：1.1091 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.1091 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
WFU7N65S	文件：257.18 Kbytes Page：6 Pages	Super-Junction Power MOSFET 文件：257.18 Kbytes 页数：6 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
YJ7N65CH	文件：954.13 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode Mosfet 文件：954.13 Kbytes 页数：11 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE

技术参数

VDS (V)：
650
ID(A)：
7
VGS(±V)：
30
Rds(on)@VG=10V Typ. (Ω)：
0.46
Rds(on)@VG=10V Max. (Ω)：
0.54
VGS(TH) Min. (V)：
2.5
VGS(TH) Typ. (V)：
3.5
VGS(TH) Max. (V)：
4.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多WFF7N65SAH供应商更新时间2025-12-6 11:00:00

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