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WFF7N65SAH

超结MOS功率管; • 650V,7A\n• RDS(ON) = 0.54Ω (Max.) @ VGS = 10V, ID = 4A\n• 低low FOM RDS(ON)×Qg\n• 极低的开关损耗\n• 稳定性和均一性好\n\n;

WFF7N65SAH 采用稳先微电子超结MOS技术制造,开关损耗较低,同时拥有较好的均一性和稳定性,可广泛应用于LED电源,充电器,适配器,TV电源和开关电源等应用。\n\n

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

WFP7N65S

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

WFU7N65S

Super-JunctionPowerMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

YJ7N65CH

N-ChannelEnhancementModeMosfet

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

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技术参数

  • VDS (V):

    650

  • ID(A):

    7

  • VGS(±V):

    30

  • Rds(on)@VG=10V Typ. (Ω):

    0.46

  • Rds(on)@VG=10V Max. (Ω):

    0.54

  • VGS(TH) Min. (V):

    2.5

  • VGS(TH) Typ. (V):

    3.5

  • VGS(TH) Max. (V):

    4.5

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更多WFF7N65SAH供应商 更新时间2025-7-27 11:00:00